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　　電光KERR效應是一種存在于各種光纖介質中的與電場強度二次方有關的電光效應，其表達式為N=KE2。其公式中為介質折射率的變化量，E為外加電場強度;K為與介質及通光波長相關的常數(shù)。介質中N的出現(xiàn)將引起通過其中的光波偏振態(tài)的變化，故檢測光波偏振態(tài)可獲偷偷的哭 被測電場。KERR效應很弱，在無對稱中心的晶體中，一般KERR效應較POCKELS效應小幾個數(shù)量級，并且N與E也不是線性關系。

　　當壓電晶體受到外加電場作用時，晶體除產生極化現(xiàn)象以外，同時形狀也產生微小變化，即產生應變，這種現(xiàn)象稱為逆壓電效應。若將逆壓電效應引起的晶體形變轉化為光信號的調制并檢測光信號，則可用作電場或電壓的光纖光電開關傳感器。